不經(jīng)意間，中國的芯片公司又闖入了一個(gè)新領(lǐng)域，日前西安紫光國芯宣布推出12nm工藝的GDDR6存儲控制器和物理接口IP(GDDR6 MC/PHY IP)。
紫光國芯之前做過DDR內(nèi)存芯片，還有就是NAND閃存，推出顯存相關(guān)的IP芯片還是第一次，而且水準(zhǔn)不低，制程工藝使用的是GF格芯的12nm LP低功耗工藝，做的也是GDDR6存儲控制器和物理接口IP(GDDR6 MC/PHY IP)，大家可以理解為GDDR6顯存的主控芯片。
根據(jù)紫光國芯介紹，這個(gè)GDDR6 MC/PHY IP包括一個(gè)可配置的內(nèi)存控制器(MC)，其完全符合DFI3.1和AMBA AXI4.0標(biāo)準(zhǔn)，并允許設(shè)計(jì)工程師生成具有優(yōu)化延遲和帶寬的GDDR6控制器以滿足高性能應(yīng)用的要求，如顯卡，游戲機(jī)和AI計(jì)算等。
該IP針對功耗和性能進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)，西安紫光國芯的GDDR6物理接口(PHY)提供了高達(dá)12Gbps/13Gbps/14Gbps/16Gbps的數(shù)據(jù)速率，同時(shí)兼容JEDEC250和DFI3.1標(biāo)準(zhǔn)。
物理接口(PHY)部分還嵌入了高性能鎖相環(huán)以滿足嚴(yán)格的時(shí)序規(guī)范。
與主流GDDR6存儲顆粒集成，經(jīng)過流片測試驗(yàn)證，該IP的性能在12Gbps/14Gbps/16Gbps數(shù)據(jù)率時(shí)滿足設(shè)計(jì)規(guī)格要求。且當(dāng)數(shù)據(jù)率為16Gbps時(shí)，平均每個(gè)DQ的最大功耗小于4mW/Gbps。
目前，紫光國芯的GDDR6 MC/PHY IP已經(jīng)在格芯的12LP工藝平臺上架。
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