做為最早問世的閃存類型，SLC閃存在性能、可靠性上是最佳的，P/E擦寫次數(shù)在1萬到10萬次之間，遠超MLC、TLC、QLC閃存。
不過SLC閃存成本也是最高的，而且容量也不如其他的閃存類型，所以近年來應用市場越來越狹窄，主流市場已經(jīng)銷聲匿跡，生產(chǎn)廠商也越來越少。
旺宏電子日前透露，該公司研發(fā)的19nm SLC閃存進展順利，良率極佳，新產(chǎn)品新應用已經(jīng)進入驗證階段。
旺宏表示，他們的SLC閃存率先實現(xiàn)了在主芯片處理ECC的創(chuàng)新主張，已成為最佳品質(zhì)及成本效率典范;19nm SLC NAND也取得 NAND 重要成本優(yōu)勢，全面進入業(yè)界領(lǐng)先制程。
不過旺宏電子并沒有透露SLC閃存的具體規(guī)格及產(chǎn)品信息。
除了SLC閃存，旺宏也在研發(fā)3D閃存，48層堆棧的3D閃存已經(jīng)完成研發(fā)，很快會量產(chǎn)，后續(xù)則會沖刺192層3D閃存。
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